蘇州恒邁瑞公司生產(chǎn)供應(yīng)主流導(dǎo)電N型6英寸碳化硅晶錠，目前我司主要供應(yīng)高質(zhì)量并且有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的150mm6英寸碳化硅晶錠及碳化硅切割片襯底片以及半絕緣SI型SIC晶錠，同時(shí)也向200mm直徑碳化硅晶圓批量過渡。8英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底晶片主要應(yīng)用新能源汽車、光伏等領(lǐng)域。

碳化硅材料因其具有寬禁帶半導(dǎo)體特性，禁帶寬度達(dá)到3.26 eV，幾乎是硅的三倍，因此具有更好的熱導(dǎo)率和更高的工作溫度。碳化硅因其物理和化學(xué)特性，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出優(yōu)異的性能，如高溫穩(wěn)定性、高硬度、高導(dǎo)熱性和高耐腐蝕性等。碳化硅(SiC)是一種硬度僅次于金剛石的無機(jī)化合物半導(dǎo)體材料。由硅(Si)和碳(C)元素以1:1的比例構(gòu)成，形成Si-C四面體結(jié)構(gòu)。存在多種晶型，4H晶型因其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)異性能而受到青睞。

生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法(PVT和HTCVD)通過控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法包括溶膠-凝膠法(Sol-Gel)和當(dāng)前主流的頂部籽晶溶液生長(TSSG)法；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法(SHS)是合成工藝比較成熟的SiC粉體的制備方法。