恒邁瑞公司可生產(chǎn)供應(yīng)測(cè)試D級(jí)8英寸碳化硅襯底晶片，8英寸碳化硅是目前碳化硅市場(chǎng)上尺寸zui 大的襯底，主流仍舊為6英寸SiC襯底。8英寸碳化硅晶片直徑200±0.5mm，厚度500±25um，電阻率0.01-0.03ohm.cm,可分為測(cè)試D級(jí)與產(chǎn)品P級(jí)，同樣有導(dǎo)電N型8英寸碳化硅與半絕緣SI型8英寸碳化硅襯底，歡迎有采購(gòu)需求的客戶與我們聯(lián)系獲取規(guī)格與報(bào)價(jià)。

產(chǎn)品類型：碳化硅襯底
晶型：4H

摻雜：氮 Nitrogen
厚度：500um±25um

尺寸：8英寸

晶向：Off axis:4.0°toward<1120>±0.5°

碳化硅襯底的優(yōu)勢(shì)：

* 碳化硅襯底與氮化鎵（GaN）外延層的晶格常數(shù)匹配，化學(xué)特性相容；

* 碳化硅材料熱導(dǎo)率優(yōu)秀（比藍(lán)寶石高10倍以上）且與GaN外延層熱膨脹系數(shù)相近；

* 碳化硅是導(dǎo)電的半導(dǎo)體，可以制作垂直結(jié)構(gòu)器件，其兩個(gè)電極分布在器件的表面和底部，能解決藍(lán)寶石襯底必須的橫向結(jié)構(gòu)封裝帶來(lái)的各種缺點(diǎn)；

* 碳化硅襯底不需要電流擴(kuò)散層，因此光不會(huì)被電流擴(kuò)散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。