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900um厚導(dǎo)電N型碳化硅切割片廠家拋光測(cè)試

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公司名稱蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)6inch
所在地蘇州市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2024-10-31
訪問(wèn)次數(shù)326

產(chǎn)品標(biāo)簽:

碳化硅切割片碳化硅As-cut晶片未拋光碳化硅晶片 Raw-cut碳化硅襯底未研磨碳化硅晶片

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時(shí)可供應(yīng)D級(jí)4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測(cè)試Dummy級(jí)SiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī)，晶錠研磨機(jī)，晶體晶棒拋光機(jī)）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等

展開(kāi)顯示更多內(nèi)容

硅基氮化鎵外延片，碳化硅基GaN外延片，碳化硅晶棒，碳化硅SiC切割片，碳化硅襯底晶片，碳化硅同質(zhì)外延片，氮化鎵襯底片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)

蘇州恒邁瑞公司為廣大客戶提供2英寸至8英寸As-cut碳化硅切割片，涵蓋導(dǎo)電N型及半絕緣SI型. 不同尺寸切割片厚度不同，6英寸目前有500um 600um 900um等厚度，2英寸1200um厚，量大也可支持定制生產(chǎn)?？捎糜谀チ?，砂輪減薄，拋光等測(cè)試驗(yàn)證用。

900um厚導(dǎo)電N型碳化硅切割片廠家拋光測(cè)試產(chǎn)品信息

碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩(wěn)定性好、彈性模量大、比剛度大、導(dǎo)熱性能好和耐腐蝕等性能，在現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。恒邁瑞公司供應(yīng)2英寸4英寸6英寸及8英寸未拋光碳化硅切割片，導(dǎo)電N型，各種厚度可供客戶選擇，未拋光SiC切割片可被用于研磨及拋光測(cè)試驗(yàn)證。

SiC材料的表面加工質(zhì)量對(duì)制件的可靠性和使用壽命至關(guān)重要，如：在半導(dǎo)體領(lǐng)域，SiC晶片的輕薄化和表面超光滑的特性不僅減小了體積，還降低了其內(nèi)阻，改善了芯片散熱性能。在單晶SiC基片的外延工藝應(yīng)用中要求表面粗糙度Ra<0.3 nm ，并且表面無(wú)缺陷、無(wú)損傷。光學(xué)元件的表面質(zhì)量是影響光學(xué)系統(tǒng)成像分辨率的重要因素，拋光就是為了提高表面質(zhì)量，盡量降低表面粗糙度和亞表面損傷層深度，而散射越少，成像分辨率越高。光學(xué)鏡面要求其光學(xué)元件表面超光滑，表面粗糙度均方根(Root Mean Square ，RMS)<1nm。機(jī)械密封元件要求密封端面的表面粗糙度Ra<0.4 μm，平面度一般小于0.9 μm。