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蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商，為客戶定制生產(chǎn)4英寸，6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片，增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片，以及藍寶石基氮化鎵外延片，可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件，射頻微波器件。同時可供應(yīng)D級4英寸SiC碳化硅晶棒，6英寸碳化硅SiC晶錠，8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片，可為客戶提供加工測試Dummy級SiC晶棒設(shè)備(多線切割機/激光切割機，晶錠研磨機，晶體晶棒拋光機）所用的4H-N(導(dǎo)電型）碳化硅As-cut切割片，碳化硅晶錠晶棒，4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸，6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜N（P型摻雜Al）碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等
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6英寸8英寸SiC碳化硅襯底供應(yīng)商恒邁瑞公司專注于生產(chǎn)供應(yīng)導(dǎo)電N型碳化硅襯底晶片，半絕緣SI型級P型碳化硅襯底晶片，產(chǎn)品涵蓋測試D級，研究R級和產(chǎn)品P級，不同客戶不同應(yīng)用可選擇對應(yīng)的參數(shù)等級。除6-8英寸碳化硅襯底外，我司亦可供應(yīng)2英寸4英寸停產(chǎn)等級的碳化硅襯底片。歡迎有需求客戶電話詢價。
SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。
制造碳化硅襯底的有物理氣象升華法、化學(xué)氣相沉積法以及頂部籽晶溶液生長法三種。物理氣相升華法是在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，通過溫場的控制在籽晶表面生 長出碳化硅晶體，是企業(yè)最嘗使用的一種方法。以碳化硅晶片為襯底，使用化學(xué)氣相沉積法，在晶片上淀積一層單晶形成外延片。
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