恒邁瑞公司注于碳化硅晶錠研發(fā)生產(chǎn)，目前可供應(yīng)4~8英寸4H-N導(dǎo)電型碳化硅晶錠及4~6英寸4H-SI半絕緣碳化硅晶錠，作為SiC晶錠供應(yīng)商，我司產(chǎn)品等分為測試D級和產(chǎn)品P級以滿足不同需求的客戶。我們始終以優(yōu)惠的價格，優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，提供高品質(zhì)的碳化硅晶錠及切割片等產(chǎn)品，歡迎國內(nèi)外客戶來電詢價，了解晶錠的各項詳細參數(shù)。
半絕緣型碳化硅上主要是長氮化鎵外延層制造用于射頻和光電器件，導(dǎo)電型碳化硅襯底上長同質(zhì)碳化硅外延層用來做功率半導(dǎo)體，
對比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產(chǎn)出可增加80-90％，SiC晶圓升級到8英寸將會給汽車和工業(yè)客戶帶來重大收益。
碳化硅襯底的優(yōu)勢：
* 碳化硅襯底與氮化鎵（GaN）外延層的晶格常數(shù)匹配，化學(xué)特性相容；
* 碳化硅材料熱導(dǎo)率優(yōu)秀（比藍寶石高10倍以上）且與GaN外延層熱膨脹系數(shù)相近；
* 碳化硅是導(dǎo)電的半導(dǎo)體，可以制作垂直結(jié)構(gòu)器件，其兩個電極分布在器件的表面和底部，能解決藍寶石襯底必須的橫向結(jié)構(gòu)封裝帶來的各種缺點；
* 碳化硅襯底不需要電流擴散層，因此光不會被電流擴散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。
