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D級碳化硅晶錠廠家 測試激光冷剝離切割設備

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號D級4英寸
  • 所  在  地蘇州市
  • 廠商性質生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024-10-31
  • 訪問次數(shù)587

蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商,為客戶定制生產(chǎn)4英寸,6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片,增強型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片,以及藍寶石基氮化鎵外延片,可應用于制作各種中低高功率器件,射頻微波器件。同時可供應D4英寸SiC碳化硅晶棒,6英寸碳化硅SiC晶錠,8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片可為客戶提供加工測試DummySiC晶棒設備(多線切割機/激光切割機,晶錠研磨機,晶體晶棒拋光機)所用的4H-N(導電型)碳化硅As-cut切割片,碳化硅晶錠晶棒,4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸,6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應用于N型摻雜NP型摻雜Al)碳化硅同質外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等

 

硅基氮化鎵外延片,碳化硅基GaN外延片,碳化硅晶棒,碳化硅SiC切割片,碳化硅襯底晶片,碳化硅同質外延片,氮化鎵襯底片
產(chǎn)地 國產(chǎn)
碳化硅晶錠生產(chǎn)商恒邁瑞為客戶提供高品質的測試級碳化硅晶棒,可用于激光冷剝離設備,多線切割設備,激光冷剝離設備測試。
D級碳化硅晶錠廠家 測試激光冷剝離切割設備 產(chǎn)品信息

D級碳化硅晶錠廠家 測試激光冷剝離切割設備

碳化硅晶錠生產(chǎn)商恒邁瑞為客戶提供高品質的測試級碳化硅晶棒,可用于激光冷剝離設備,多線切割設備,激光冷剝離設備測試。

光剝離技術及激光冷切割術主要應用于激光剝離技術是將激光垂直照射碳化硅晶錠,并聚焦到碳化硅晶錠內部一定深度,使表面層改性后,從晶錠上剝離出晶片相較于線切割技術,激光剝離技術具有以下優(yōu)勢

1、切割時間從4-5天顯著縮短至17分鐘

2、材料損失率大幅降低,并從原理上避免鋸口損失使晶片產(chǎn)出能提高44%,更適合大尺寸晶圓的切割。

3省掉晶片研磨環(huán)節(jié),節(jié)約時間、設備以及人力成本

一代半導體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為主,是CPU處理器等集成電路主要運用的材料;第二代半導體包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等,目前手機所使用的關鍵通信芯片都采用這類材料制作。第三代半導體材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料。在通信、汽車、高鐵、衛(wèi)星通信、航空航天等應用場景中有優(yōu)勢。其中,碳化硅、氮化鎵的研究和發(fā)展更為成熟。


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