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6英寸測試級碳化硅晶體廠家 激光冷切割設(shè)備

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱蘇州恒邁瑞材料科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號6英寸N型
  • 所  在  地蘇州市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024-10-31
  • 訪問次數(shù)497

蘇州恒邁瑞作為AlGaN/GaN硅基HEMT及碳化硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)廠商,為客戶定制生產(chǎn)4英寸,6英寸碳化硅基GaN-on-SiC氮化鎵外延片,增強(qiáng)型/耗盡型硅基GaN-On-Si氮化鎵功率外延片,以及藍(lán)寶石基氮化鎵外延片,可應(yīng)用于制作各種中低高功率器件,射頻微波器件。同時可供應(yīng)D4英寸SiC碳化硅晶棒,6英寸碳化硅SiC晶錠,8英寸碳化硅單晶體及碳化硅襯底晶片可為客戶提供加工測試DummySiC晶棒設(shè)備(多線切割機(jī)/激光切割機(jī),晶錠研磨機(jī),晶體晶棒拋光機(jī))所用的4H-N(導(dǎo)電型)碳化硅As-cut切割片,碳化硅晶錠晶棒,4H-SI(半絕緣型)Raw-cut切割片及碳化硅晶錠晶體。N型碳化硅襯底晶片和SI半絕緣型碳化硅襯底晶片可提供4英寸,6英寸及8英寸。碳化硅襯底晶片可廣泛應(yīng)用于N型摻雜NP型摻雜Al)碳化硅同質(zhì)外延片、碳化硅基GaN-On-SiC氮化鎵外延片等

 

硅基氮化鎵外延片,碳化硅基GaN外延片,碳化硅晶棒,碳化硅SiC切割片,碳化硅襯底晶片,碳化硅同質(zhì)外延片,氮化鎵襯底片
產(chǎn)地 國產(chǎn)
采購6英寸N型碳化硅晶體測試設(shè)備,可選擇蘇州恒邁瑞公司,專業(yè)供應(yīng)4英寸至6英寸碳化硅晶棒,碳化硅切割片及碳化硅襯底晶片,單根碳化硅晶棒厚度約為20mm。D級測試級碳化硅晶體可用于激光冷切割設(shè)備,多線切割設(shè)備等測試用。
6英寸測試級碳化硅晶體廠家 激光冷切割設(shè)備 產(chǎn)品信息

6英寸測試級碳化硅晶體生產(chǎn)廠家 激光冷切割設(shè)備

采購6英寸N型碳化硅晶體測試設(shè)備,可選擇蘇州恒邁瑞公司,專業(yè)供應(yīng)4英寸至6英寸碳化硅晶棒,碳化硅切割片及碳化硅襯底晶片,單根碳化硅晶棒厚度約為20mm。D級測試級碳化硅晶體可用于激光冷切割設(shè)備,多線切割設(shè)備等測試用。

作為第三代半導(dǎo)體材料,碳化硅相較于硅材料,具有大禁帶寬度、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射等特點(diǎn),適合制造高溫、高壓、高頻、大功率的器件。

目前碳化硅主流的切割方式分為砂漿線切割、金剛線切割、激光切割(水導(dǎo)激光、激光剝離、激光冷切割)。

對于國內(nèi)廠商而言,砂漿線切割技術(shù)已應(yīng)用于絕大部分碳化硅襯底廠商,金剛線切割技術(shù)也成為了主流迭代方案。盡管金剛線相較于砂漿線切割優(yōu)勢明顯,但仍存在一些問題:

1、加工效率較低。碳化硅晶錠的長度較短,使用多線切割技術(shù)需要先將多個晶錠進(jìn)行拼接,降低了加工效率。

2、材料損耗率高。加工過程中,切割線會將部分碳化硅材料削磨成碎屑從而產(chǎn)生鋸口損失,并且高速運(yùn)動會在材料表面形成粗糙切痕,導(dǎo)致材料損耗率高達(dá)50%。

3、設(shè)備及耗材壽命短。在切割時,金剛線磨損嚴(yán)重,切割線的使用壽命以及晶片的翹曲度都受到影響。

4、耗材成本高。金剛線的單位成本高于砂漿線,頻繁更換易磨損的金剛線會增加加工成本



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