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深圳市華科智源科技有限公司
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  • 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀

    場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器件...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/9/12 11:44:42 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀大功率模塊測(cè)試儀IGBT檢測(cè)設(shè)備場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀
  • IGBT測(cè)試系統(tǒng)

    IGBT測(cè)試系統(tǒng),測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/9/11 16:27:53 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀大功率模塊測(cè)試儀IGBT檢測(cè)設(shè)備IGBT測(cè)試系統(tǒng)
  • 大功率IGBT測(cè)試設(shè)備

    大功率IGBT測(cè)試設(shè)備,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/9/11 15:08:20 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀大功率模塊測(cè)試儀IGBT檢測(cè)設(shè)備大功率IGBT測(cè)試設(shè)備
  • 功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

    功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/9/11 11:38:46 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀大功率模塊測(cè)試儀IGBT檢測(cè)設(shè)備功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備
  • IGBT檢測(cè)設(shè)備

    IGBT檢測(cè)設(shè)備,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/9/10 11:32:39 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀大功率模塊測(cè)試儀IGBT檢測(cè)設(shè)備
  • 分立器件測(cè)試系統(tǒng)

    分立器件測(cè)試系統(tǒng)擴(kuò)展性強(qiáng),通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試...

    型號(hào): HUSTEC-DC... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/9/10 11:13:15 對(duì)比
    分立器件測(cè)試儀晶體管圖示儀晶體管測(cè)試儀分立器件測(cè)試系統(tǒng)
  • 半導(dǎo)體器件測(cè)試儀

    半導(dǎo)體器件測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/9/10 10:15:39 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀大功率模塊測(cè)試儀半導(dǎo)體器件測(cè)試儀
  • 半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

    華科智源半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/9/10 10:00:49 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀IGBT測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀
  • IGBT測(cè)試機(jī)

    IGBT測(cè)試機(jī),測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器件...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/9/9 17:44:36 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀大功率模塊測(cè)試儀IGBT測(cè)試機(jī)
  • 大功率模塊測(cè)試儀

    大功率模塊測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/9/9 15:45:11 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀大功率模塊測(cè)試儀
  • 分立器件測(cè)試儀

    分立器件測(cè)試儀設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng),通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)...

    型號(hào): HUSTEC-20... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/4/23 16:59:57 對(duì)比
    分立器件測(cè)試儀晶體管圖示儀晶體管測(cè)試儀
  • 晶體管圖示儀

    晶體管圖示儀設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng),通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試...

    型號(hào): HUSTEC-20... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/4/23 16:59:31 對(duì)比
    分立器件測(cè)試儀晶體管圖示儀晶體管測(cè)試儀
  • 10us浪涌電流測(cè)試儀

    華科智源-10us浪涌電流測(cè)試儀,可測(cè)試二極管,MOS,IGBT,以及SIC器件浪涌電流能力,可輸出底寬10ms,8.3ms,1ms,10us等正弦半波或方波,...

    型號(hào): HUSTEC-IF... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/4/23 16:59:06 對(duì)比
    浪涌電流測(cè)試儀10us浪涌測(cè)試儀
  • 10us方波浪涌測(cè)試儀

    華科智源-10us方波浪涌測(cè)試儀,可測(cè)試二極管,MOS,IGBT,以及SIC器件浪涌電流能力,可輸出底寬10ms,8.3ms,1ms,10us等正弦半波或方波,...

    型號(hào): HUSTEC-IF... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/4/23 16:58:28 對(duì)比
    浪涌電流測(cè)試儀10us浪涌測(cè)試儀10us方波浪涌測(cè)試儀
  • 柵極電阻/電容測(cè)試儀

    華科智源柵極電阻/電容測(cè)試儀,可以測(cè)試MOS管,IGBT,SIC器件的柵極電阻和柵極電容,包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容,Rg等...

    型號(hào): HUSTEC-CV... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/4/23 16:58:05 對(duì)比
    柵極電阻測(cè)試儀柵極電容測(cè)試儀cv曲線(xiàn)測(cè)試儀結(jié)電容測(cè)試儀
  • cv曲線(xiàn)測(cè)試儀

    華科智源cv曲線(xiàn)測(cè)試儀,可以測(cè)試MOS管,IGBT,SIC器件的柵極電阻和柵極電容,包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容,Rg等參數(shù),...

    型號(hào): HUSTEC-CV... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/4/23 16:57:42 對(duì)比
    柵極電阻測(cè)試儀柵極電容測(cè)試儀cv曲線(xiàn)測(cè)試儀結(jié)電容測(cè)試儀
  • 結(jié)電容測(cè)試儀

    華科智源結(jié)電容測(cè)試儀,可以測(cè)試MOS管,IGBT,SIC器件的柵極電阻和柵極電容,包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容,Rg等參數(shù),可...

    型號(hào): HUSTEC-CV... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/4/23 16:57:13 對(duì)比
    柵極電阻測(cè)試儀柵極電容測(cè)試儀cv曲線(xiàn)測(cè)試儀結(jié)電容測(cè)試儀
  • 功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/4/23 16:56:10 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀功率器件測(cè)試儀
  • 二極管測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)

    二極管測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng),測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥10更新時(shí)間:2024/4/23 16:55:31 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀功率器件測(cè)試儀二極管測(cè)試儀二極管測(cè)試設(shè)備二極管測(cè)試系統(tǒng)
  • 三極管測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)

    三極管測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng),測(cè)試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn),測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛...

    型號(hào): HUSTEC-16... 所在地:深圳市參考價(jià): ¥198更新時(shí)間:2024/4/23 16:54:56 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀功率器件測(cè)試儀三極管測(cè)試儀三極管測(cè)試設(shè)備三極管測(cè)試系統(tǒng)

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