供應 N溝道單項晶體管 STFH24N60M2：

一、規(guī)格： FET 類型    N 溝道
技術(shù)    MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）    600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）    18A（Tc）
驅(qū)動電壓（大 Rds On，小 Rds On）    10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值）    190 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（大值）    4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值）    29nC @ 10V
Vgs（大值）    ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值）    1060pF @ 100V
FET 功能    -
功率耗散（大值）    35W（Tc）
工作溫度    -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型    通孔
供應商器件封裝    TO-220FP
封裝/外殼    TO-220-3 整包

二、描述：

該器件是采用MDmesh™M2技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。 由于其條帶布局和改進的垂直結(jié)構(gòu)，該器件具有低導通電阻和優(yōu)化的開關(guān)特性，使其適用于要求苛刻的高效轉(zhuǎn)換器.TO-220FP寬爬電封裝為功率MOSFET提供更高的表面絕緣，以防止 由于電弧放電導致的故障，可能在污染環(huán)境中發(fā)生

三、特征：

極低的柵極電荷
出色的輸出電容（COSS）曲線
100％通過雪崩測試
齊納保護
引腳之間的爬電距離為4.25 mm

四、應用：

切換應用
LLC轉(zhuǎn)換器，諧振轉(zhuǎn)換器

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