您是否想要采購(gòu)半絕緣型8英寸碳化硅襯底和導(dǎo)電型8英寸碳化硅晶片，不妨了解下恒邁瑞公司，專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)供應(yīng)碳化硅襯底晶片，尺寸涵蓋2英寸4英寸6英寸及英寸，既有測(cè)試D級(jí)，研究R級(jí)也有產(chǎn)品P級(jí)碳化硅襯底。我司與國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司及實(shí)驗(yàn)室合作多年，對(duì)客戶給予價(jià)格支持，歡迎有需求客戶詢價(jià)。

從碳化硅粉末開(kāi)始，通過(guò)單晶生長(zhǎng)，成為錠，然后通過(guò)切割拋光工藝進(jìn)入襯底，襯底延伸延伸，然后通過(guò)光刻、沉積、離子注入等步驟制作設(shè)備結(jié)構(gòu)晶圓，晶圓變薄退火成晶片，包裝試驗(yàn)后，是碳化硅功率設(shè)備，最終設(shè)備形成電力電子設(shè)備并應(yīng)用。

PVT法(物理氣相傳輸法) 

這是最主流的生長(zhǎng)方法。原理：石墨坩堝腔體內(nèi)，電感線圈加熱，發(fā)生渦流作用，石墨發(fā)熱體加熱，溫度上升至2000攝氏度以上，底部的高純碳化硅分解成原子、分子等氣相物質(zhì)，又在溫度梯度的作用下，向低溫區(qū)輸送，在碳化硅籽晶上形核成晶；