目前，8英寸碳化硅襯底是市面上尺寸zui大的SiC襯底，恒邁瑞公司可提供4H-N導(dǎo)電型和4H-SI半絕緣型8英寸碳化硅底晶片，厚度均為500um±25um，除8英寸外，恒邁瑞也可供應(yīng)已停產(chǎn)的2英寸和4英寸導(dǎo)電N型碳化硅晶片及SiC晶錠，歡迎有需求的客戶前來詢價(jià)。

作為第三代半導(dǎo)體的主要代表之一，碳化硅與硅相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率，其在高溫、高壓、高頻領(lǐng)域表現(xiàn)出色。碳化硅材料性能全面，可生產(chǎn)碳化硅陶瓷、機(jī)械密封件、軸承軸套、熱交換管、微通道反應(yīng)器、窯爐窯具等，經(jīng)過碳-碳復(fù)合，材料性能增強(qiáng)后可用于航空航天、核能等行業(yè)，是智能電網(wǎng)、新能源汽車、5G 應(yīng)用等新興產(chǎn)業(yè)的重要半導(dǎo)體材料。