SiC碳化硅原始晶錠晶棒生產(chǎn)廠家，用于測試碳化硅C碳面球面平整度

蘇州恒邁瑞公司為國內(nèi)外客戶生長供應(yīng)碳化硅原始晶錠，也可以稱之為碳化硅坯料，可用于

用于測試碳化硅C面弧度端面平整度及缺陷等。4英寸至6英寸導(dǎo)電型碳化硅原始晶錠或半絕緣型碳化硅毛坯料

碳化硅主要采用物理氣相輸運(yùn)法（PVT，也稱為改良的Lely法或籽晶升華法），高溫化學(xué)氣相沉積法（HTCVD）作為補(bǔ)充。核心步驟大致分為：

碳化硅固體原料；

加熱后碳化硅固體變成氣體；

氣體移動(dòng)到籽晶表面；

氣體在籽晶表面生長為晶體。

SiC 材料擁有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率以及抗輻射等特性，SiC 基的 SBD 以及 MOSFET 更適合在高頻、高溫、高壓、高功率以及耐輻射的環(huán)境中工作。在功率等級相同的條件下，采用 SiC 器件可滿足功率密度更高、設(shè)計(jì)更緊湊的需求。