氮化鎵異質(zhì)外延片生產(chǎn)廠家GaN-on-SiC

蘇州恒邁瑞供應(yīng)RF HEMT應(yīng)用碳化硅射頻高電子遷移管GaN氮化鎵外延片，尺寸涵蓋4英寸及6英寸，SiC碳化硅與GaN氮化鎵由于晶格失配較小，導(dǎo)電、熱導(dǎo)率高，是主流的GaN外延生長(zhǎng)襯底之一。其中，導(dǎo)電型SiC襯底主要用于外延GaN基LED等光電子器件、SiC基電力電子器件，半絕緣型SiC襯底主要用于外延制造GaN高功率射頻器件，比如5G基站中的PA、雷達(dá)等。

氮化鎵是一種極穩(wěn)定的無機(jī)化合物，也是堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃，主要是由人工合成的。GaN具有高的電離度，禁帶寬度達(dá)到3.4eV，其相比第二代半導(dǎo)體化合物擁有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率和電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力,可以用在高功率、高速的光電元件中,是生產(chǎn)微電子器件、光電子器件的新型材料。