半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用是各領(lǐng)域關(guān)注的焦點(diǎn)。其中，硅基氮化鎵（Gallium Nitride）外延片作為一種新型高性能半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用場景日益拓展，引起了業(yè)界的關(guān)注。蘇州恒邁瑞公司為客戶生產(chǎn)定制4英寸至8英寸GaN-on-Si硅基氮化鎵外延片。硅基氮化鎵外延片具有諸多優(yōu)勢。以AlGaN/GaN-on-Si為例，這種氮化鎵外延片采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)，在硅襯底上生長高質(zhì)量、高穩(wěn)定性的氮化鎵薄膜。該工藝不僅降低了生產(chǎn)成本，還實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模生產(chǎn)線的應(yīng)用，為實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高溫等苛刻條件下的電子設(shè)備提供了可能。隨著5G通信、新能源汽車、人工智能等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芄β势骷男枨蟛粩嘣鲩L，硅基氮化鎵外延片作為關(guān)鍵性基礎(chǔ)材料的地位逐漸凸顯。硅基氮化鎵外延片制造行業(yè)在未來有著發(fā)展?jié)摿涂臻g。相關(guān)企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)應(yīng)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量，并積極應(yīng)對市場變化，共同推動整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展