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4英寸SiC碳化硅基GaN氮化鎵外延片RF應(yīng)用

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產(chǎn)品型號4inch

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地蘇州市

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更新時間:2024-03-11 16:18:54瀏覽次數(shù):466次

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蘇州恒邁瑞公司供應(yīng)高品質(zhì)4-6英寸碳化硅基氮化鎵外延片,應(yīng)用于POWER HEMT和RF。

4英寸SiC碳化硅基GaN氮化鎵外延片RF應(yīng)用

蘇州恒邁瑞公司供應(yīng)高品質(zhì)4-6英寸碳化硅基氮化鎵外延片,GaN-on-SiC結(jié)合了碳化硅優(yōu)異的導熱性和GaN高功率密度、低損耗能力,襯底上的器件可在高電壓和高漏極電流下運行,結(jié)溫將隨RF功率緩慢升高,RF性能更好,具有寬禁帶、強原子鍵、高熱導率、化學穩(wěn)定性好和強抗輻照等性質(zhì),在光電子、功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。


第三代半導體材料包括了以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導體。一二代半導體材料工藝已經(jīng)逐漸接近物理極限,在微電子領(lǐng)域的摩爾定律開始逐步失效,而第三代半導體是可以超越摩爾定律的。相比于一代及第二代半導體材料,第三代半導體材料在高溫、高耐壓以及承受大電流等多個方面具備明顯的優(yōu)勢,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。




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