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產(chǎn)品簡介：該系統(tǒng)為球形脈沖激光淀積系統(tǒng)（PLD）工藝研發(fā)設(shè)備。脈沖激光沉積（Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。

產(chǎn)品名稱

球形脈沖激光淀積系統(tǒng)（PLD）

安裝條件

1、環(huán)境溫度：10℃～35℃

2、相對濕度：不大于75%

3、供水：水壓0.2MPa～0.4MPa,水溫15℃～25℃

4、設(shè)備周圍環(huán)境整潔，空氣清潔，不應(yīng)有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導(dǎo)電的塵?；驓怏w存在。

技術(shù)參數(shù)

1、系統(tǒng)采用真空室為球形結(jié)構(gòu)，手動前開門
2、真空室組件及配備零部件全部采用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸+電化學(xué)拋光鈍化處理配有可視觀察窗口真空有效尺寸為SΦ300mm
3、極限真空度：≤6.67x10^-⁵Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用600L/S分子泵抽氣，前級采用8L/S)；系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10^-⁸Pa.l/S；系統(tǒng)從大氣開始抽氣到8.0x10^-⁴ Pa，40分鐘可達(dá)到；停泵關(guān)機(jī)12小時后真空度：≤5 Pa
4、樣品臺：樣品尺寸φ40mm，轉(zhuǎn)速5-30RPM，基片臺與轉(zhuǎn)靶距離40～90mm
5、樣品加熱高加熱溫度：800℃，溫控精度：±1°C，采用控溫表進(jìn)行控溫
6、四工位轉(zhuǎn)靶：每個靶位φ40mm,擋板只露出一個靶位，激光束要求打在上面靶位，轉(zhuǎn)靶具有公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)功能
7、真空室內(nèi)設(shè)置烘烤、照明、水壓報警裝置
8、MFC一路質(zhì)量流量計控制進(jìn)氣：0-100sccm